BUK9675-55A,118

Фото 1/3 BUK9675-55A,118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5542 шт., срок 6-8 недель
390 руб.
от 10 шт.300 руб.
от 100 шт.215 руб.
от 800 шт.169.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006704820
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 55V 20A (Tc) 62W (Tc) поверхностный монтаж D2PAK

Технические параметры

Base Product Number BUK9675 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 643pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 10A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 62 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 68 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 47 ns
Время спада 33 ns
Высота 4.5 mm
Длина 10.3 mm
Другие названия товара № /T3 BUK9675-55A
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 28 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.4 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.058Ом
Power Dissipation 62Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchMOS
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 20А
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Рассеиваемая Мощность 62Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.058Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 212 КБ
Datasheet BUK9675-55A,118
pdf, 767 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.