IFS100B12N3E4B31BOSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

56 940 руб.

от 10 шт. — 49 650 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 56 940 руб.

Номенклатурный номер: 8006709170

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules

Модуль IGBT Trench Field Stop Full Bridge 1200V 200A 515W Модуль для монтажа на шасси

Base Product Number	IFS100 ->
Configuration	Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	6.3nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C
Package	Tray
Package / Case	Module
Power - Max	515W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	100А
DC Ток Коллектора	100А
Power Dissipation	515Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Конфигурация БТИЗ	Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции	MIPAQ
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Рассеиваемая Мощность	515Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г	1