ALD110900SAL

319 шт., срок 7-9 недель
1 570 руб.
от 50 шт.1 000 руб.
от 100 шт.855 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 570 руб.
Номенклатурный номер: 8006714543

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, поверхностный монтаж 8-SOIC

Технические параметры

California Prop 65 Warning Information
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
ECCN EAR99
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EPADВ®, Zero Thresholdв„ў ->
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 20mV @ 1ВµA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 104 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.