STGP20NC60V, Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220

Фото 1/3 STGP20NC60V, Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
103 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
630 руб.
от 5 шт.530 руб.
от 10 шт.489 руб.
от 19 шт.471 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007122302
Артикул: STGP20NC60V
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
Continuous Collector Current Ic Max: 60 A
Continuous Collector Current: 30 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: +/-100 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 200 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGP20NC60V
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 2.692

Техническая документация

Datasheet
pdf, 443 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.