BSH203.215, МОП транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт. со склада г.Москва, срок 3-8 дней
26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -300мА, 170мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 470 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.68V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 417 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
