STGD10NC60HT4

STGD10NC60HT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
870 руб.
от 2 шт.720 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 870 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007156624
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
STGD10NC60H Series 600 V 20 A N-channel Very Fast PowerMESH™ IGBT - DPAK-3

Технические параметры

Base Part Number STG*10NC
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Gate Charge 19.2nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 60W
Series PowerMESHв(ў
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 31.8ВµJ(on), 95ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 14.2ns/72ns
Test Condition 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.4 mm
Длина 6.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение PowerMESH
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия STGD10NC60H
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок DPAK-3
Ширина 6.2 mm
Вес, г 0.428

Техническая документация

Datasheet STGD10NC60HT4
pdf, 411 КБ
Документация
pdf, 425 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.