HFA3096BZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2189 шт., срок 7-9 недель
2 190 руб.
от 10 шт. —
2 050 руб.
от 25 шт. —
1 900 руб.
от 100 шт. —
1 745.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 190 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Renesas Electronics HFA3096 is an ultra high frequency transistor array that is fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 8 V |
| Maximum DC Collector Current | 65 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 5 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 16 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 784 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
