HGTG40N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 75 A | |
Continuous Collector Current at 25 C | 75 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 75 A | |
Factory Pack Quantity | 30 | |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-250 nA | |
Height | 20.82 mm | |
Length | 15.87 mm | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Tube | |
Part # Aliases | HGTG40N60A4_NL | |
Pd - Power Dissipation | 625 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | HGTG40N60A4 | |
Technology | Si | |
Unit Weight | 0.225401 oz | |
Width | 4.82 mm | |
Вес, г | 7.83 |
Техническая документация
Документация
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов