SSM3J353F,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20128 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P-канал 30V 2A (Ta) 600 мВт (Ta) S-Mini для поверхностного монтажа
Технические параметры
Base Product Number | 2SC3668 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 159pF @ 15V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | U-MOSVI -> |
Supplier Device Package | S-Mini |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | +20V, -25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-346-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3.4 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Техническая документация
Datasheet SSM3J353F,LF
pdf, 360 КБ
Datasheet SSM3J353F.LF
pdf, 360 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары