FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 440 руб.
от 2 шт. —
1 370 руб.
от 4 шт. —
1 290 руб.
от 8 шт. —
1 220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 440 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Brand: | onsemi/Fairchild | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA | |
Manufacturer: | onsemi | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C | |
Package/Case: | TO-247-3L | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 555 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
REACH - SVHC: | Details | |
Series: | FGH40T120SMD | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Channel Type | N | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 555 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 517 КБ
Datasheet
pdf, 377 КБ
FGH40T120SMD
pdf, 501 КБ
FGH40T120SMD, FGH40T120SMD−F155
pdf, 519 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов