HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
200 руб.
от 14 шт. —
193 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Вес, г | 3.06 |
Техническая документация
Документация
pdf, 296 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
