CE3512K2-C1, RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

430 руб.
от 10 шт.340 руб.
от 100 шт.241 руб.
от 500 шт.195.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 430 руб.
Номенклатурный номер: 8007257254
Артикул: CE3512K2-C1

Описание

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Junction FET

Технические параметры

Automotive No
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 0.068
Maximum Drain Source Voltage - (V) 4
Maximum Frequency - (MHz) 12000
Maximum Gate Source Voltage - (V) -3
Maximum Power Dissipation - (mW) 125000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Supplier Package Micro-X
Вес, г 0.1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов