CE3512K2-C1, RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
430 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
241 руб.
от 500 шт. —
195.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Описание
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Junction FET
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.068 |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 4 |
Maximum Frequency - (MHz) | 12000 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | -3 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 125000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | Micro-X |
Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары