UMB10NTN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2629 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
39.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 150 мВт UMT6 для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | UMB10 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | UMB10N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMB10N |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.048 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.25 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1661 КБ
Datasheet UMB10NTN
pdf, 539 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
