IRL60B216, Транзистор полевой N-канальный 60В 305A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 3 шт. —
550 руб.
от 6 шт. —
539 руб.
от 11 шт. —
521 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 305A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Material | Si | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 305 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1.9@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.4 | |
| Maximum IDSS (uA) | 1 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 375000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Obsolete | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | HEXFET | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 120 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 172@4.5V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15570@25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 185 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 190 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 70 | |
| Вес, г | 2.99 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 731 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
