RD3G07BATTL1, MOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET

RD3G07BATTL1, MOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22433 шт., срок 6-8 недель
670 руб.
от 10 шт.500 руб.
от 100 шт.393 руб.
от 250 шт.365.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007471512
Артикул: RD3G07BATTL1
Бренд: Rohm

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.0057Ом
Power Dissipation 101Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 70А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 101Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0057Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RD3G07BATTL1
pdf, 2655 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.