RD3G07BATTL1, MOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22433 шт., срок 6-8 недель
670 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
от 100 шт. —
393 руб.
от 250 шт. —
365.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0057Ом |
Power Dissipation | 101Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 70А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 101Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0057Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RD3G07BATTL1
pdf, 2655 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары