C3M0120065D, MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1465 шт., срок 6-8 недель
2 160 руб.
от 10 шт. —
1 850 руб.
от 30 шт. —
1 540 руб.
от 120 шт. —
1 323.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 160 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 742 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964116.jpg)
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
