STGW30H60DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4274 шт., срок 6-8 недель
1 020 руб.
от 10 шт. —
920 руб.
от 25 шт. —
700 руб.
от 100 шт. —
566.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFB
pdf, 698 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
