DMN3033LDM-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
81 руб.
от 500 шт. —
61.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5,8А, 2Вт, SOT26 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.9 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Series: | DMN3033 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
