BFS483H6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 25 шт. —
123 руб.
от 100 шт. —
96.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:65mA; DC Current Gain hFE:70hFE;
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | BFS 483 H6327 SP000750464 |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 65 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-363 |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 554 КБ
Datasheet BFS483H6327XTSA1
pdf, 560 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 252 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 477 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
