BFU550WF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 25 шт. —
139 руб.
от 100 шт. —
107.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
RF TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:11GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:60hFE; RF
Технические параметры
| Brand | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Manufacturer | NXP |
| Packaging | Reel |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| RoHS | Details |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 12 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 50 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 11 GHz |
| Manufacturer: | NXP |
| Maximum DC Collector Current: | 80 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 11 GHz |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Output Power: | 13.5 dBm |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | 934067695135 |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar Wideband |
| Type: | Wideband RF Transistor |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 307 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
