AUIRFS3107TRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 930 руб.
от 10 шт. —
1 600 руб.
от 100 шт. —
1 210 руб.
от 800 шт. —
989.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 930 руб.
Описание
The Infineon automotive 75V single N-channel HEXFET Power MOSFET is in a D2-Pak package. The maximum continous drain current is 195 A.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 100 ns |
Forward Transconductance - Min: | 230 S |
Id - Continuous Drain Current: | 260 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Part # Aliases: | AUIRFS3107TRL SP001521708 |
Pd - Power Dissipation: | 370 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 160 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
Rise Time: | 110 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 99 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 260 A |
Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов