AUIRFS3107TRL

Фото 1/2 AUIRFS3107TRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 930 руб.
от 10 шт.1 600 руб.
от 100 шт.1 210 руб.
от 800 шт.989.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 930 руб.
Номенклатурный номер: 8007541515

Описание

The Infineon automotive 75V single N-channel HEXFET Power MOSFET is in a D2-Pak package. The maximum continous drain current is 195 A.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Fall Time: 100 ns
Forward Transconductance - Min: 230 S
Id - Continuous Drain Current: 260 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Part # Aliases: AUIRFS3107TRL SP001521708
Pd - Power Dissipation: 370 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 160 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 mOhms
Rise Time: 110 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 99 ns
Typical Turn-On Delay Time: 19 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 260 A
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 704 КБ
Datasheet
pdf, 716 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов