SSM3J135TU,LF

SSM3J135TU,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9001 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007628889
Бренд: Toshiba

Описание

U-MOSVI Small Signal MOSFETs Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: UFM-3
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 4.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 103 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 43 ns
Typical Turn-On Delay Time: 17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V

Техническая документация

Datasheet SSM3J135TU.LF
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.