IXTT20P50P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
5 350 руб.
от 2 шт. —
5 120 руб.
от 5 шт. —
4 930 руб.
от 10 шт. —
4 691.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 350 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-268; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:20A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresh 03AH1829
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Fall Time | 34 ns |
| Forward Transconductance - Min | 11 S |
| Height | 5.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -20 A |
| Length | 14 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-268-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 460 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 103 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Rise Time | 32 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTT20P50 |
| Technology | Si |
| Tradename | PolarP |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | PolarP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
| Unit Weight | 0.158733 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -4 V |
| Width | 16.05 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
| Power Dissipation | 460Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarP Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 460Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-268(D3PAK) |
| Вес, г | 7.438 |
Техническая документация
Datasheet IXTH20P50P
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
