C3M0120065J, MOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2639 шт., срок 6-8 недель
1 820 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 50 шт. —
1 390 руб.
от 100 шт. —
1 204.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 756 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![IRFP4468PBF, Транзистор, N-канал 100В 290А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
