IRFBC20PBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 22 шт. — 99 руб.

от 50 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 87 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8007833726

Артикул: IRFBC20PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A

Корпус	TO-220AB
Base Product Number	IRFBC20 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4Ohm @ 1.3A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	6

pdf, 1643 КБ

Мы рекомендуем