Корпус	HVMDIP-4
Id - непрерывный ток утечки	1.7 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Qg - заряд затвора	8.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	110 ns
Время спада	26 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.9 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	9.3 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DIP-4
RoHS	Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V
Производитель	Vishay
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.7 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	1.3 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	HVMDIP
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
Width	6.29mm
Automotive	No
Configuration	Single Dual Drain
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	1.7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	200@5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±10
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	1300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Part Status	Active
PCB changed	4
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	DIP
Supplier Package	HVMDIP
Typical Fall Time (ns)	26
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	8.4(Max)@5V
Typical Gate to Drain Charge (nC)	6.4(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)	2.6(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	400@25V
Typical Output Capacitance (pF)	170
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	340
Typical Rise Time (ns)	110
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	17
Typical Turn-On Delay Time (ns)	9.3
Вес, г	0.549

IRLD014PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация