2N3500

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 130 руб.

от 100 шт. — 1 620 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 130 руб.

Номенклатурный номер: 8007868389

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40 at 150 mA, 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 150 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	300 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	241
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3

Мы рекомендуем