IRLR2705TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 20А; Idm: 110А; 68Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
120 руб.
от 500 шт. —
91 руб.
от 3000 шт. —
78.90 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 8 500 руб.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 68Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
Непрерывный Ток Стока | 28А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 68Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet IRLR2705TRLPBF
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов