IPB200N15N3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

960 руб.

от 10 шт. — 740 руб.

от 100 шт. — 520 руб.

от 500 шт. — 430.08 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 960 руб.

Номенклатурный номер: 8007869534

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	50 A
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	OptiMOS 3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	23 nC @ 10 V
Width	9.45mm
Transistor Material	Si
Вес, г	5