Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFS11N50APBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRFS11N50APBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 11A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 9 шт. — 160 руб.

от 17 шт. — 153 руб.

от 34 шт. — 147 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 570 руб.

Номенклатурный номер: 8007911323

Артикул: IRFS11N50APBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 500В 11A

Технические параметры

Корпус	D2Pak(TO-263)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRFS
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8542.39.00.01
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Continuous Drain Current (A)	11
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	520@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	52(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	52(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1423@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	170000
Typical Fall Time (ns)	28
Typical Rise Time (ns)	35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	32
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Standard Package Name	TO-263
Pin Count	3
Supplier Package	D2PAK
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	4.83(Max)
Package Length	10.41(Max)
Package Width	9.65(Max)
PCB changed	2
Tab	Tab
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	11A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1423pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Tube
Power Dissipation (Max)	170W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520mOhm @ 6.6A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	1.8