RE1L002SNTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
50 руб.
от 10 шт. —
38 руб.
от 100 шт. —
28.10 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 0.25A, 0.15W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:250mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; Pow
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 28 ns |
| Forward Transconductance - Min | 250 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-416FL-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 Ohms |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.7Ом |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 250мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.7Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416FL |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RE1L002SNTL
pdf, 2378 КБ
Документация
pdf, 1429 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
