IRFP440PBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 8.8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 9 шт. —
160 руб.
от 18 шт. —
148 руб.
от 50 шт. —
142 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 8.8A
Технические параметры
Корпус | TO-247-3 | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.8A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 5.3A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | TO-247-3 | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 6.4 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1469 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов