BSH111BKR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 508 шт.
Добавить в корзину 508 шт.
на сумму 3 556 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET SOT23
Технические параметры
Корпус | sot23 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Id - непрерывный ток утечки | 210 mA | |
Pd - рассеивание мощности | 364 mW | |
Qg - заряд затвора | 0.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 8.4 ns | |
Время спада | 4.8 ns | |
Другие названия товара № | 934068056215 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET | |
Типичное время задержки выключения | 12.6 ns | |
Типичное время задержки при включении | 8.3 ns | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Base Product Number | BSH111 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 210mA (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 30V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power Dissipation (Max) | 302mW (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-236AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250ВµA | |
Brand | Nexperia | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 4.8 ns | |
Forward Transconductance - Min | 640 mS | |
Id - Continuous Drain Current | 210 mA | |
Manufacturer | Nexperia | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Cut Tape | |
Pd - Power Dissipation | 364 mW | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 500 pC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 Ohms | |
Rise Time | 8.4 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 12.6 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 8.3 ns | |
Unit Weight | 0.000282 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 335 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 8.1 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V | |
Maximum Gate Source Voltage | 10 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.3V | |
Maximum Power Dissipation | 1.45 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-236 | |
Pin Count | 3 | |
Series | BSH111BK | |
Transistor Configuration | Single | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.035 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов