Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFH5007TRPBF, Транзистор полевой MOSFET ...

IRFH5007TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 46 шт. — 240 руб.

от 92 шт. — 229 руб.

от 183 шт. — 226 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 600 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8008017829

Артикул: IRFH5007TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN

Технические параметры

Корпус	PQFN 5x6 mm
Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	3.6 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	75 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	14 ns
Время спада	11 ns
Высота	0.83 mm
Длина	6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка / блок	PQFN-8
Ширина	5 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.6 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	PQFN 5mm x 6mm
Вес, г	0.389