SIHB33N60E-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 760 руб.
от 2 шт. —
1 620 руб.
от 5 шт. —
1 510 руб.
от 10 шт. —
1 447.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 760 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:33A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.083ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 33 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 99@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 278000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 54 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 100 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 100@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3508@100V |
| Typical Rise Time (ns) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 99 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 28 |
| Вес, г | 2.64 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Документация
pdf, 221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
