MUN5133T1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Фото 1/2 MUN5133T1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 320 шт.
от 421 шт.1.10 руб.
от 842 шт.0.96 руб.
Добавить в корзину 320 шт. на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8008046534
Артикул: MUN5133T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Технические параметры

Корпус sot-323
Pd - рассеивание мощности 310 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.85 mm
Длина 2.1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MUN5133
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SC-70/SOT-323-3
Ширина 1.24 mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 174 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов