STP10N95K5, Транзистор полевой N-канальный 950В 8A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
520 руб.
от 6 шт. —
430 руб.
от 12 шт. —
399 руб.
от 23 шт. —
384 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Id - непрерывный ток утечки | 8 A | |
Pd - рассеивание мощности | 130 W | |
Qg - заряд затвора | 22 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 14 ns | |
Время спада | 15 ns | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | SuperMESH | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STP10N95K5 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 51 ns | |
Типичное время задержки при включении | 22 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 15 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 8 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 130 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 22 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms | |
Rise Time | 14 ns | |
RoHS | Details | |
Series | MDmesh K5 | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 51 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 950 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
Maximum Power Dissipation | 130 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 2.86 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.