FMBA06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
97 руб.
от 57 шт. —
79.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Электроэлемент
Transistor,bjt,pair,npn,80V V(Br)Ceo,500Ma I(C),so Rohs Compliant: Yes |Onsemi FMBA06
Технические параметры
Category | Bipolar Small Signal |
Collector Current (DC) | 0.5(A) |
Collector-Base Voltage | 80(V) |
Configuration | Dual |
DC Current Gain | 100 |
Emitter-Base Voltage | 4(V) |
Frequency | 100(MHz) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 2 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TSOT-23 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation | 0.7(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | FMBA06_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FMBA06 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SSOT-6 |
Ширина | 1.7 mm |
Техническая документация
Datasheet FMBA06
pdf, 171 КБ
Документация
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов