BSH111BKR, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 3-8 дней
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,13А, 364мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 210 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 364 mW |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8.4 ns |
| Время спада | 4.8 ns |
| Другие названия товара № | 934068056215 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 12.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.3 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Base Product Number | BSH111 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 210mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 30V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 302mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250ВµA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 4.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 640 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 210 mA |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 364 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 500 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 Ohms |
| Rise Time | 8.4 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.3 ns |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 335 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.1 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 10 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Power Dissipation | 1.45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-236 |
| Pin Count | 3 |
| Series | BSH111BK |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
