IXFK80N60P3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
7 620 руб.
от 2 шт. —
7 330 руб.
от 5 шт. —
6 970 руб.
от 10 шт. —
6 750.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 620 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-Ch 600V 80A 1300W 0,077R TO264AA
Технические параметры
Brand | IXYS |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 25 |
Fall Time | 8 ns |
Forward Transconductance - Min | 90 S, 55 S |
Id - Continuous Drain Current | 80 A |
Manufacturer | IXYS |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-264-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 1.3 kW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 190 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms |
Rise Time | 25 ns |
RoHS | Details |
Series | IXFK80N60 |
Technology | Si |
Tradename | HyperFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Unit Weight | 0.264555 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
Вес, г | 12.78 |
Техническая документация
Datasheet IXFK80N60P3
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.