IRFRC20TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 600В 2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 51 шт. — 90 руб.

от 102 шт. — 85 руб.

от 204 шт. — 79 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8008393120

Артикул: IRFRC20TRPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 2A

Корпус	DPAK/TO-252AA
Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	42 W
Qg - заряд затвора	18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.38 mm
Длина	6.73 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	IRFRC
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Case	DPAK, TO252
Drain current	1.3A
Drain-source voltage	600V
Gate charge	18nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	VISHAY
Mounting	SMD
On-state resistance	4.4Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	42W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.615