MMBFJ211

MMBFJ211
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.110 руб.
от 100 шт.68 руб.
от 500 шт.49.84 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8008458016

Описание

Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: MMBFJ211)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Forward Transconductance - Min 0.006 S to 0.012 S
Gate-Source Cutoff Voltage -4.5 V
Id - Continuous Drain Current 20 mA
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Drain Gate Voltage 25 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case SOT-23
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product RF JFET
Product Category RF JFET Transistors
RoHS Details
Series MMBFJ211
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type JFET
Type JFET
Unit Weight 0.000282 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -25 V
Brand: onsemi/Fairchild
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 0.006 S to 0.012 S
Gate-Source Cutoff Voltage: -4.5 V
Id - Continuous Drain Current: 20 mA
Manufacturer: onsemi
Maximum Drain Gate Voltage: 25 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Temperature Range: -55 C to+150 C
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Series: MMBFJ211
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Type: JFET
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: -25 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 704 КБ
Документация
pdf, 710 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов