NGTB75N65FL2WG
2 510 руб.
от 30 шт. —
1 770 руб.
от 120 шт. —
1 470 руб.
от 510 шт. —
1 293.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 510 руб.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 595 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | NGTB75N65FL2 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 368 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
