BDX53CG

Фото 1/2 BDX53CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
310 руб.
от 50 шт.220 руб.
от 100 шт.167 руб.
от 500 шт.131.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Номенклатурный номер: 8008470838

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 65Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 750
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 50
Height 15.75 mm
Length 10.53 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Collector Cut-off Current 500 uA
Maximum DC Collector Current 8 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 40 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series BDX53C
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.83 mm
Case TO220AB
Collector current 8A
Collector-emitter voltage 100V
Kind of package tube
Kind of transistor Darlington
Mounting THT
Polarisation bipolar
Power dissipation 65W
Type of transistor NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов