NGTB25N120FL2WG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 580 руб.
от 2 шт. —
2 400 руб.
от 5 шт. —
2 280 руб.
от 10 шт. —
2 195 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 580 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 25А, 192Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Gate Charge | 178nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 385W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 154ns |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.95mJ(on), 600ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 87ns/179ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 385 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 6.125 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
