BUK9Y19-100E,115, MOSFET BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK

BUK9Y19-100E,115, MOSFET BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1699 шт., срок 6-8 недель
390 руб.
от 10 шт.300 руб.
от 100 шт.215 руб.
от 500 шт.170.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008532070
Артикул: BUK9Y19-100E,115
Бренд: Nexperia B.V.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.014Ом
Power Dissipation 167Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchMOS
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 56А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.7В
Рассеиваемая Мощность 167Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.014Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора LFPAK56
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 323 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.