SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
11 000 руб.
от 2 шт. —
10 460 руб.
от 3 шт. —
10 240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Технические параметры
| Корпус | SEMITRANSR 3(Case D56) | |
| Версия | D56 | |
| Импульсный ток | 600А | |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор | |
| Монтаж | винтами | |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ | |
| Производитель | SEMIKRON | |
| Рабочая температура | -40…125°C | |
| Тип модуля | IGBT | |
| Ток коллектора | 241А | |
| Топология | полумост IGBT | |
| Электрический монтаж | винтами | |
| Вес, г | 321.7 |
Техническая документация
Документация
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
