BSC265N10LSFGATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 10 шт. —
322 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:40A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.85V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 21 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC265N10LSF G SP000379618 |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Rise Time: | 24 ns |
| Series: | OptiMOS 2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
