SIR180DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 2 шт. —
800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 60A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.6V
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32.4A(Ta), 60A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4030pF @ 30V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 |
Packaging | Digi-ReelВ® |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 5.4W(Ta), 83.3W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.05 mOhm @ 10A, 10V |
Series | TrenchFETВ® Gen IV |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250ВµA |
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 7 ns |
Forward Transconductance - Min: | 35 S |
Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
Pd - Power Dissipation: | 83.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 87 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.05 mOhms |
Rise Time: | 8 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 381 КБ
Документация
pdf, 381 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 61 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 75 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов