2N3707 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

2N3707 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2077 шт., срок 6-8 недель
320 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 100 шт.180 руб.
от 500 шт.156.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8005049520
Артикул: 2N3707 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.45

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.